Wczytuję dane...
Model: PAHSSS051210
Kod producenta: HS-SSD-WAVE(S)(STD)/512G/SATA/WW
Waga produktu: 0.3 kg
Gwarancja: 24 miesięcy
Realizacja zamówienia: 1 dni
EAN: 6974202725617
Wysyłka od: 10.09 PLN
Producent: hiksemi

SSD HIKSEMI WAVE (S) 512GB SATA3 2,5" (530/450 MB/s) 3D NAND

Producent HIKSEMI
Nazwa typu Dyski twarde
Okres rękojmi w miesiącach 24
Miejsce serwisowania Serwis zewnętrzny
Opis ogólny SSD HIKSEMI WAVE (S) 512GB SATA3 2,5" (530/450 MB/s) 3D NAND
 Techniczne
Pojemność dysku 512 GB
Format dysku 2,5 cala
Typ dysku SSD
Typ kości pamięci 3D NAND
Wsparcie dla technologii TRIM Tak
Prędkość odczytu (max) 530 MB/s
Prędkość zapisu (max) 450 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written) 170.0
 Charakterystyka
Interfejs SATA III (6 Gb/s)
Odczyt losowy 63000 IOPS
Zapis losowy 69000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF) 1500000 h
 Fizyczne
Kolor obudowy Czarno-zielony (Black-green)
 Pozostałe parametry
Cechy 512GB;530/450 MB/s
Informacje dodatkowe Maksymalny pobór prądu: 1.9 W;
Temperatura pracy: 0°C - 70°C (32°F - 158°F);
Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C (-40°F - +185°F).

Dyski twarde

  • Baza SCIP: 

    Nie

  • Cechy: 

    512GB;530/450 MB/s

  • Format dysku: 

    2,5 cala

  • Gwarancja producenta: 

    36

  • Informacje dodatkowe: 

    Maksymalny pobór prądu: 1.9 W,Temperatura pracy: 0°C - 70°C (32°F - 158°F),Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C (-40°F - +185°F)

  • Interfejs: 

    SATA III (6 Gb/s)

  • Kolor obudowy: 

    Czarno-zielony (Black-green)

  • Nazwa typu: 

    Dyski twarde

  • Odczyt losowy: 

    63000 IOPS

  • Okres rękojmi w miesiącach: 

    24

  • Pojemność dysku: 

    512 GB

  • Prędkość odczytu (max): 

    530 MB/s

  • Prędkość zapisu (max): 

    450 MB/s

  • Producent: 

    HIKSEMI

  • Strona o towarze: 

    https://www.hiksemitech.com/en/hiksemi/all-products/solid-state-drive/hs-ssd-wave-s.html

  • Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 

    1500000 h

  • TBW (ang. Total Bytes Written): 

    170.0

  • Typ dysku: 

    SSD

  • Typ kości pamięci: 

    3D NAND

  • Wsparcie dla technologii TRIM: 

    Tak

  • Zapis losowy: 

    69000 IOPS

Google+