SSD HIKSEMI FUTUREX 1TB M.2 PCIe Gen4x4 NVMe 2280 (7450/6600 MB/s) HS
Producent | HIKSEMI |
Nazwa typu | Dyski twarde |
Okres rękojmi w miesiącach | 24 |
Miejsce serwisowania | Serwis zewnętrzny |
Opis ogólny | SSD HIKSEMI FUTUREX 1TB M.2 PCIe Gen4x4 NVMe 2280 (7450/6600 MB/s) HS |
TECHNICZNE |
|
Pojemność dysku | 1 TB |
Format dysku | M.2 2280 |
Typ dysku | SSD |
Typ kości pamięci | 3D NAND |
Technika zapisywania danych | TLC |
Prędkość odczytu (max) | 7450 MB/s |
Prędkość zapisu (max) | 6600 MB/s |
TBW (ang. Total Bytes Written) | 1800.0 |
CHARAKTERYSTYKA |
|
Interfejs | M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe |
Odczyt losowy | 860000 IOPS |
Zapis losowy | 670000 IOPS |
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF) | 2000000 h |
FIZYCZNE |
|
Kolor obudowy | Czarny (Black) |
POZOSTAŁE PARAMETRY |
|
Cechy | 1TB;7450/6600 MB/s |
Informacje dodatkowe | Maksymalny pobór prądu: 3.92 W; AES-256/SM4/TCG-Opal 2.0/IEEE1667; Third-generation Agile ECC technology (4K LDPC), end-to-end data protection; RAID5 & 6; Wersja z radiatorem; Temperatura pracy: 0°C - 70°C; Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C. |
Gwarancja producenta | 60 |
Dyski twarde
-
Baza SCIP:
Nie
-
Cechy:
1TB;7450/6600 MB/s
-
Format dysku:
M.2 2280
-
Gwarancja producenta:
60
-
Informacje dodatkowe:
Maksymalny pobór prądu: 3.92 W,AES-256/SM4/TCG-Opal 2.0/IEEE1667,Third-generation Agile ECC technology (4K LDPC), end-to-end data protection,RAID5 & 6,Wersja z radiatorem,Temperatura pracy: 0°C - 70°C,Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C
-
Interfejs:
M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
-
Kolor obudowy:
Czarny (Black)
-
Nazwa typu:
Dyski twarde
-
Odczyt losowy:
860000 IOPS
-
Okres rękojmi w miesiącach:
24
-
Pojemność dysku:
1 TB
-
Prędkość odczytu (max):
7450 MB/s
-
Prędkość zapisu (max):
6600 MB/s
-
Producent:
HIKSEMI
-
Strona o towarze:
https://www.hiksemitech.com/en/hiksemi/all-products/solid-state-drive/hs-ssd-future.html
-
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
2000000 h
-
TBW (ang. Total Bytes Written):
1800.0
-
Technika zapisywania danych:
TLC
-
Typ dysku:
SSD
-
Typ kości pamięci:
3D NAND
-
Zapis losowy:
670000 IOPS